Перегляд за автором "Індутний, І.З."

Результати 1-10 з 10

Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу

Вакарюк, Т.Є.; Громовой, Ю.С.; Данько, В.А.; Дорожинський, Г.В.; Зиньо, С.А.; Індутний, І.З.; Самойлов, А.В.; Ушенін, Ю.В.; Христосенко, Р.В.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)

Наведено результати досліджень використання поруватих шарів SiOx, отриманих за допомогою термічного осадження у вакуумі під ковзним кутом, у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу (ППР). Характеристики таких ...
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол

Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Минько, В.І.; Шепелявий, П.Є.; Литвин, О.С.; Луканюк, М.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)

Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується ...
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx

Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Коломис, О.Ф.; Стрельчук, В.В.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)

З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час ...
Розробка технології виготовлення сенсорних чипів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико-механічними характеристиками для оптичних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу

Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Ушенін, Ю.В.; Литвин, П.М.; Минько, В.І.; Шепелявий, П.Є.; Луканюк, М.В.; Корчовий, А.А.; Христосенко, Р.В. (Наука та інновації, 2017)

Виконано інноваційний проект з розробки технологічного методу виготовлення сенсорних чипів з підвищеною чутливістю для біосенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу (ППР), які працюють в схемі Кречмана. Підвищення ...
Технологія виробництва голограмних дифракційних граток на основі неорганічних вакуумних фоторезисторів

Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Луканюк, М.В.; Минько, В.І.; Шепелявий, П.Є. (Наука та інновації, 2014)

Виконано інноваційний проект з розробки технологічного методу формування голограмних дифракційних ґраток, який дає можливість виготовляти високоякісні дифракційні елементи з просторовими частотами від 600 до 3600 мм⁻¹ для ...
Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів

Данько, В.А.; Дмитрук, М.Л.; Індутний, І.З.; Мамикін, С.В.; Минько, В.І.; Литвин, П.М.; Луканюк, М.В.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015)

У даній роботі наведено можливості використання інтерференційної літографії з фоторезистами на основі халькогенідних скловидних напівпровідників у комплексі з термічною обробкою для формування однорідних плазмонних структур ...
Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом

Індутний, І.З.; Минько, В.І.; Шепелявий, П.Є.; Сопінський, М.В.; Ткач, В.М.; Данько, В.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)

Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за ...
Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)

Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Луканюк, М.В.; Минько, В.І.; Пономарьов, С.С.; Шепелявий, П.Є.; Юхимчук, В.О. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015)

Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів ...
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Михайловська, К.В.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних ...
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

Бабійчук, І.В.; Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Луканюк, М.В.; Минько, В.І.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний ...

Результати 1-10 з 10

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Індутний, І.З."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Індутний, І.З."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис